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高純氧化鋁(Al?O?)因其優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性、高硬度、耐高溫及良好的介電性能,在半導(dǎo)體、精密陶瓷、電子材料等領(lǐng)域具有不可替代的作用。Baikowski BA15-W 4N是一款采用噴霧干燥工藝制備的高純?chǔ)料嘌趸X粉體,其純度≥99.99%、粒度分布均勻、分散性優(yōu)異,可滿足制造業(yè)對(duì)材料性能的嚴(yán)苛要求。本文將從其物化特性、核心優(yōu)勢及典型應(yīng)用等方面進(jìn)行系統(tǒng)介紹。
純度:4N級(jí)(≥99.99%),雜質(zhì)含量極低(Na、K、Fe等<10ppm),避免雜質(zhì)對(duì)高溫?zé)Y(jié)或電子性能的不利影響。
晶體相:100% α相氧化鋁,熱力學(xué)穩(wěn)定相,可在1200℃以上長期保持結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,適用于高溫環(huán)境。
比表面積:15-21 m2/g,平衡了反應(yīng)活性與流動(dòng)性,適用于漿料配制與燒結(jié)。
粒度分布:D50=4.5µm(激光衍射法),分布集中,確保工藝重復(fù)性。
密度:
堆積密度:0.3 g/cm3(松散狀態(tài))
振實(shí)密度:0.45 g/cm3(壓縮后)
適中的密度使其在運(yùn)輸和儲(chǔ)存時(shí)不易分層,同時(shí)便于后續(xù)分散。
預(yù)分散性:顆粒表面經(jīng)特殊處理,減少團(tuán)聚,可直接用于溶劑體系(如水、乙醇),降低后續(xù)研磨能耗。
批次穩(wěn)定性:嚴(yán)格控制的干燥參數(shù)(如進(jìn)料速率、霧化壓力)確保不同批次產(chǎn)品的一致性。
特性 | BA15-W 4N | 普通氧化鋁(3N) |
---|---|---|
純度 | ≥99.99% | 99.9% |
α相含量 | 100% | 80-95%(含過渡相) |
分散性 | 噴霧干燥預(yù)分散,即用型 | 需球磨或超聲處理 |
適用溫度 | 耐溫>1200℃(α相穩(wěn)定) | γ相在800℃可能轉(zhuǎn)相 |
應(yīng)用場景:半導(dǎo)體硅片、藍(lán)寶石襯底、光學(xué)玻璃等超精密表面加工。
優(yōu)勢:
高純度避免金屬污染,減少晶圓表面缺陷。
窄粒度分布(D50=4.5µm)可控制拋光速率,實(shí)現(xiàn)Ra<0.5nm的超光滑表面。
應(yīng)用案例:航空發(fā)動(dòng)機(jī)葉片熱障涂層(TBC)、機(jī)械密封環(huán)。
性能提升:
α相氧化鋁提供高硬度(HV≥1500)和耐磨性,延長部件壽命。
良好的燒結(jié)活性(1500-1600℃)促進(jìn)致密化,降低孔隙率。
用途:
集成電路基板(如AlN-Al?O?復(fù)合陶瓷)
高壓絕緣件、LED封裝散熱材料
關(guān)鍵貢獻(xiàn):
高介電常數(shù)(εr≈9.8)與低介電損耗(tanδ<0.001)。
高熱導(dǎo)率(30 W/m·K)助力散熱設(shè)計(jì)。
作用機(jī)制:
作為多孔陶瓷膜骨架材料,提高機(jī)械強(qiáng)度與化學(xué)穩(wěn)定性。
可控比表面積(15-21 m2/g)優(yōu)化催化劑負(fù)載效率。
漿料配制:建議固含量10-20%,搭配分散劑(如PAA)并調(diào)節(jié)pH至4-6(Zeta電位優(yōu)化)。
燒結(jié)工藝:
升溫速率5-10℃/min(避免開裂)
可添加0.5wt% MgO抑制晶粒異常生長。
儲(chǔ)存條件:密封防潮(濕度<40%),避免陽光直射,保質(zhì)期24個(gè)月。
Baikowski BA15-W 4N氧化鋁憑借其高純度、100% α相結(jié)構(gòu)及優(yōu)化的粉體特性,在制造領(lǐng)域展現(xiàn)出的適用性。無論是精密拋光、高溫陶瓷,還是電子材料,其穩(wěn)定的性能和即用型分散特性均可顯著提升工藝效率與成品質(zhì)量。對(duì)于追求高可靠性、高一致性的工業(yè)應(yīng)用,該產(chǎn)品是理想的先進(jìn)陶瓷原料選擇。